硅基应变半导体物理

收藏
  • 【作者】宋建军,杨雯,赵新燕著
  • 【关键词】硅基材料 半导体物理学 高等学校 教材
  • 【出版社】西安电子科技大学出版社
  • 【出版日期】2019
  • 【ISBN】978-7-5606-5294-8
  • 【中图分类号】 O47
  • 【内容简介】本书共六章,介绍了硅基应变半导体物理的相关内容,讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型,并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。全部展开
  • 【页码】132页
  • 【文献类型】图书
  • 【所属馆】

    浙江图书馆 杭州图书馆

  • 【获取途径】
联合资源统一检索系统 超星 V2.0
已保存的题录(0)
选出输出字段:
加载保存列表...
清空文件夹
注:
通过勾选,使对应参与检索,从而可以轻松获得更全面的检索结果。