改性锗半导体物理

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  • 【作者】宋建军,冒剑军,薛笑欢编著
  • 【关键词】 半导体物理学 高等学校 教材
  • 【出版社】西安电子科技大学出版社
  • 【出版日期】2020
  • 【ISBN】978-7-5606-5951-0
  • 【中图分类号】 O47
  • 【内容简介】本书共7章,主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。全部展开
  • 【页码】106页
  • 【文献类型】图书
  • 【所属馆】

    浙江图书馆 嵊州市图书馆 南浔区图书馆

  • 【获取途径】
联合资源统一检索系统 超星 V2.0
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